AlGaNGaNHEMT相关论文
氮化镓（GaN）具有高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度,并且Al GaN/GaN异质结能形成高迁移率高密度的二维电子气（2DEG）,故在高频、高效......
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本文使用TCAD工具对AlGaN/GaN HEMT微波功率器件进行电学仿真，在其基本结构上分别引入栅场板、一重源场板、双重源场板结构，并优化了......
随着社会生产的需求,GaN作为宽禁带材料,由于其优异的特性以及无需掺杂就能产生二维电子气的优势,成为高温、高频、大功率微波器件......
由于宽禁带材料GaN具有高临界击穿电场和良好抗辐照性,受到功率半导体领域内研究者们的广泛关注。Ⅲ-Ⅴ族化合物所具有的强极化效......
氮化镓（GaN）材料具有宽带隙、高击穿电场、高电子迁移率和高热导率等诸多优势,在射频和大功率领域具有巨大应用潜力。基于AlGaN/GaN......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）及其模型在过去的几十年中一直是学术研究和工业应用的焦点。首要原因是它具有电荷密度大、电子......
随着5G网络推行和建设,需要建设大量5G专用的通信基站,而功率管芯模块作为基站的核心部件之一,其需求量显著增加。5G基站的功率管......
第三代半导体的代表性材料GaN具有优异的性能,如较大禁带宽度、较高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀、抗辐射等,是制作高频、高温、......
Al Ga N/Ga N异质结具有很强的自发和压电极化效应,即使在没有任何掺杂情况下,只有极化应力也能在Al Ga N/Ga N异质结界面的量子阱......
近年来,氢气作为一种替代化石燃料的清洁能源受到广泛关注。氢气是一种爆炸性气体,对氢气传感器的要求是响应速度快、信号放大程度......
氢气传感器可以对氢气浓度进行实时监控和预警预报,目前已经在石油化工氢气管道检测,核电站安全壳内氢气检测,氢能源汽车和加氢站......
近年来,具有高禁带宽度、高击穿电压、高饱和电子迁移速率等优点的氮化镓（GaN）材料在高压、高温、高频和高功率等领域大放异彩。然而......
为提高器件的击穿电压,提出了一种具有间断场板和栅下极化层结构的常开型AlGaN/GaN HEMT.分析了器件击穿电压提高的机理.优化了器......
针对AlGaN/GaN HEM T器件存在的GaN缓冲层漏电和栅极漏端处电场集中效应导致器件耐压性能不高,无法完全发挥GaN材料高击穿电压优势......
由于AlGaN/GaN异质结二维电子气密度高,加之GaN材料具有击穿电场强度高、电子饱和漂移速率高等优点,因此GaN基HEMT在高频大功率电......
Aiming to achive the high RF performace AlGaN/GaN HEMT by suppress current collapse and decresing the parasitlic paramet......
从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发，采用商用TCAD软件建立AlGaN／GaN HEMT器件二维模型。针对自加热效应，在不同的直流偏置电压......
通过分步光刻技术将不同功率F等离子体处理HEMT(高电子迁移率晶体管)和常规耗尽型HEMT制备在同一原片上。通过对比得出。F等离子体......
采用短时间关态应力,对AlGaN/GaN HEMT器件的Kink效应进行研究。短时间应力未导致器件发生明显的退化,因此它可以作为Kink效应的电......
研制并测试了以蓝宝石作衬底的10×75μm×0.8μmAlGaN/GaN微波器件,采用等离子增强气相化学沉积的方法生长了250nm的Si3N4形成钝......
采用RFMBE技术,在蓝宝石衬底上生长了高Al组分势垒层AlGaN/GaNHEMT结构.用三晶X射线衍射分析得到AlGaN势垒层的Al组分约为43%,异质......
报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3μm AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μm器件的饱和电流为55.9mA,......
研制了一种基于Al GaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率......
主要研究了0.2Mrad 60Coγ辐照前后AlGaN/GaNHEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降,栅泄漏电流增加,......
AlGaN/GaN HEMT良好的功率特性虽然被大量报导,但其电流崩塌现象仍是一个令人困扰的问题,作者通过实验证明了导致其电流崩塌的一个......
研究了Si N钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对Al GaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的N......
利用ICP对研制的SiC衬底上Al GaN/GaN HEMT刻蚀获得了深度为50μm的接地通孔.器件通孔制作前首先用机械研磨的方法将衬底减薄至50......
利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)......
报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道......
通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns......
完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作。使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特......
研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应.在3 MeV质子辐照下,当辐照剂量达到1×10~(15)protons/cm~2时,漏极饱和......
在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/Ga N高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)。采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料......
在SiC衬底上制备了栅长为110 nm、漏源间距为2μm的W波段AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT),分析了SiN钝化对器件直流和射......
采用相同的欧姆接触,栅长为100 nm的T型栅以及50 nm的氮化硅(Si N)表面钝化等器件工艺,制备了漏源间距分别为2和3μm的AlGaN/Ga N......
为了准确描述毫米波Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)短栅长器件的热电效应,在Silvaco TCAD软件中建立了毫米波AlGaN/GaN HEMT能量平......
研究了源漏整体刻蚀欧姆接触结构对AlGaN/G N高电子迁移率晶体管(HEMT)的欧姆接触电阻和金属电极表面形貌的影响。利用传输线模型(......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在高频及大功率应用方面已显示出了得天独厚的优势,在通信、雷达、电子战以及航空航天、核......
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AlGaN/GaN HEMT器件具有高击穿电场(3.3 MV/cm)和高电子迁移率(2×103cm2·V-1·s-1),其在传感、雷达、自动化、通讯等领域拥有巨......
过去十年,可穿戴传感器因其在监测佩戴者的健康、健身和周围环境方面的巨大潜力而备受关注。柔固结合的可穿戴电化学传感器衬底具......
近年来,新一代半导体材料氮化镓(GaN)具备禁带宽、电子饱和速率高、电子迁移率高、热导率高等优点,使得氮化镓高电子迁移率晶体管(......
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料（也称宽禁带半导体材料）,其禁带宽度、电子迁移速度、击穿电场和工作温度等皆远大于硅（Si）与砷化镓（Ga A......
GaN材料具有宽禁带宽度、高击穿电场和高热导率等优势,在航空航天领域有着广阔的应用前景。虽然GaN材料禁带宽度较大且具有较好的......
GaN基半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和速度高、击穿电压大等良好的电学性能,在微波大功率和高压开关电路领域具有很大的发展潜......
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氮化镓(GaN)材料在禁带宽度、击穿电场强度、导热系数和电子饱和漂移速度等方面均大大优于前两代半导体材料,因而其在高温、高频率......
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